GeräteVersuche
Dioden, Gehäuse G1
Kenndaten des Bauteils:UR = Sperrspannung, In = Durchlassgleichstrom, IR = Sperrstrom bei 75 °C…
Artikelnr.: 39106.01, 39106.03
Elektronikgerätesatz ESP1, Basissatz
Basis-Gerätesammlung zur Durchführung von grundlegenden Experimenten zur Elektrik und Elektronik.…
Artikelnr.: 06033.66
Fotoelement, Silicium
Besonders geeignet für Experimente mit Laserlicht und zum Nachweis des Infrarotanteils im Glühlichtspektrum. Silicium-Fotoelemente in robusten, zylindrischem Aluminiumgehäuse (d = 20 mm); Oberfläche …
Artikelnr.: 08734.00
Fotoelement, Silicium, E 10
Silicium-Fotoelement, in Lampenfassung E 10 einschraubbar.Technische Daten: Empfindlichkeit: ca. 125 nA/lx Wirksame Fläche: ca. 25 mm2 max. Empfindlichkeit: bei ca. 800 nm…
Artikelnr.: 07937.00
Fotoelement, Silicium, E10 und Spaltblende
Fotoelement, Silicium, E10: Silicium-Fotoelement, in Lampenfassung E 10 einschraubbar.Spaltenblende für Fotoelement: Aufsteckbar auf das Silicium-Fotoelement (07937.00) besonders geeignet zum Nachweis…
Artikelnr.: 07937.00, 07937.01
Fotoverstärker Gehäuse G1
Zur fotoelektrischen Schaltung von elektronischen Digitalzählern. Fototransistor mit nachgeschaltetem Transistor. Seitliche Schlitze für Versuche zur Lochstreifen-Steuerung.…
Artikelnr.: 11201.04
Kopfhörer 1700 Ω
Magnetischer Kopfhörer mit Anschlussleitung 1,4 m und 2-mm-Steckern.…
Artikelnr.: 11620.32
Kopfhörer und Lautsprecher, 2-mm-Anschlüsse
Kopfhörer 1700 : Magnetischer Kopfhörer mit Anschlussleitung 1,4 m und 2-mm-Steckern.Lautsprecher 150 , 2 W, 2-mm-Buchsen: Permanent-dynamischer Lautsprecher in Kunststoffgehäuse.…
Artikelnr.: 11620.32
Leuchtdiode mit Vorwiderstand Gehäuse G1
Rote LED als Signalanzeiger verwendbar.…
Artikelnr.: 39155.00
Spaltblende für Fotoelement
zum Aufstecken auf das Silizium-Fotoelement 07937.00 besonders geeignet zum Nachweis des Infrarotanteils im Glüchlichtspektrum.…
Artikelnr.: 07937.01
Z-Dioden, Gehäuse G1
P = Verlustleistung rz = Dynamischer Widerstand im Durchbruchsgebiet Uz = Spannung im Durchbruchsgebiet Iz = Strom im Durchbruchsgebiet…
Artikelnr.: 39132.01
Versuch: Characteristic curves of a solar cell
Principle: The current-voltage characteristics of a solar cell are measured at different light intensities, the distance between the light source and the solar cell being varied. The depencence of no-…
Artikelnr.: P2410901
Versuch: Characteristic curves of semiconductors with FG-Module
Principle: Determine the current strength flowing through a semi-conducting diode. Determine the collector current with the collector voltage for various values of the base current intensity.…
Artikelnr.: P2410915
Versuch: Die Solarzelle
Das Verhalten einer Solarzelle wird bei verschiedenen Beleuchtungsstärken untersucht. Die Beleuchtung kann leicht durch den Abstand zur Lampe verändert werden. Der Lastwiderstand wird am Potentiometer…
Artikelnr.: P1357700
Versuch: Kennlinien von Halbleitern mit FG-Modul
Die Ausgangsmaterialien Silizium und Germanium für Halbleiterbauelemente sind Kristalle aus 4-wertigen Atomen, die zur Erhöhung der Leitfähigkeit mit 3- oder 5-wertigen Fremdatomen gezielt "verunreini…
Artikelnr.: P2410915
Versuch: Leerlaufspannung und Kurzschlußstrom einer Solarzelle bei unterschiedlichen Beleuchtungsstärken
Eine Solarzelle wird mit einer Reflektorglühlampe für Kleinspannung beleuchtet. Durch Verändern der Betriebsspannung werden unterschiedliche Beleuchtungsstärken eingestellt. Während die Leerlaufspannu…
Artikelnr.: P0935100
Versuch: Peltier heat pump
Principle: The cooling capacity heating capacity and efficiency rating of a Peltier heat pump are determined under different operating conditions.…
Artikelnr.: P2410800