Kennlinien von Halbleitern mit FG-Modul
Die Ausgangsmaterialien Silizium und Germanium für Halbleiterbauelemente sind Kristalle aus 4-wertigen Atomen, die zur Erhöhung der Leitfähigkeit mit 3- oder 5-wertigen Fremdatomen gezielt "verunreinigt" (d.h. dotiert) werden. Die elektrische Leitung im Halbleiterkristall geschieht einmal durch Elektronen zum anderen durch die "Löcher". Die Löcher tragen eine positive Elementarladung und bewegen sich entgegengesetzt zur Bewegungsrichtung der Elektronen.
In diesem Versuch werden die Kennlinien von verschiedenen Halbleiter-Bauteilen aufgenommen und ausgewertet. Bei einem Transistor wird die Abhängigkeit des Kollektorstroms von der Kollektorspannung, bei verschiedenen Werten des Basisstroms, ermittelt.
| Artikel-Nr. | Artikelbezeichnung |
|---|---|
| P2410915 | Characteristic curves of semiconducters with FG Module |
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