Eigenleitung von Germanium, Trägerplatine
In Verbindung mit dem Halleffekt-Modul zur temperaturabhängigen Bestimmung der Leitfähigkeit undotierter Halbleiter. Trägerplatine mit undotiertem Ge-Kristall, Pt100-Thermofühler, Heizmäander und Steckleiste.
Technische Daten:
• Kristallmaße (mm): 20 x 10 x 1
• Platinenmaße (mm): 73 x70 x 39
• Spezifischer Widerstand: ca. 50 Ωcm
• Max. Kristalltemperatur: 170 °C
• Max. Probenstrom: ± 10 mA
• Kristallmaße (mm): 20 x 10 x 1
• Platinenmaße (mm): 73 x70 x 39
• Spezifischer Widerstand: ca. 50 Ωcm
• Max. Kristalltemperatur: 170 °C
• Max. Probenstrom: ± 10 mA
| Artikel-Nr. | Artikelbezeichnung |
|---|---|
| 11807.01 | Eigenleitung von Germanium, Trägerplatine |
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